| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| AF280V |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N7288H |
N沟 250V 9A 75W Ron=0.415Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC270A |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N3055U |
硅 NPN |
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| BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7244 |
N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N7270 |
N沟 500V 11A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| 2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
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| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC270C |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC259C |
硅 PNP 25V 0.1A 0.3W 130MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| BC271 |
硅 NPN 25V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2SC1815 |
硅 NPN 60V 150mA 400mW *K |
低噪声音频放大 |
TO-92 |
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| BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| BC267 |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7273H |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7230 |
P 沟 200V 25A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N5401 |
硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K |
开关管 |
TO-92,SOT-23 |
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| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
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| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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| 2N7272R |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
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| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7271H |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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