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晶体管技术参数查询--杭州精灵电子
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晶体管型号晶体管参数用途封装简介
BC269B 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 低噪声管
2N3055 硅 NPN 100V 15A 117W 音频放大\开关及功率放大
BC267A 硅 NPN 50V 0.5A 0.375W 普通用途
2SC5200 2SA1943 *K
2N722A 硅 PNP 50V 0.5A 0.4W 普通用途
BC270 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
BC268A 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 普通用途
BC271 硅 NPN 25V 1A 0.3W 普通用途
BC270C 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
BC270B 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
BC270-5 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
BC268C 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 普通用途
BC267B 硅 NPN 50V 0.5A 0.375W 普通用途
2N7230 P 沟 200V 25A 金属氧化物场效应管
BC274A 硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K 普通用途
2N5401 硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K 开关管 TO-92,SOT-23
2N3055A 硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz 普通用途
2N7272R N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω MOS场效应功率放大管
AF280VI 锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz 高频管
BC267 硅 NPN 50V 0.5A 0.375W 普通用途
2N7273R N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω MOS场效应功率放大管
2N7274 N沟 200V 8A 金属氧化物场效应管
2N3055U 硅 NPN .
2N7228 N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω 金属氧化物场效应管
AF280V 锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz 高频管
2N7273 N沟 100V 12A 金属氧化物场效应管
2SC1972 硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz VHF功率放大
2N7237 P 沟 200V 11A 125W 金属氧化物场效应管
BC266 硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K 普通用途
2N7242 N沟 200V 9A 75W 80/45ns Ron=0.51Ω MOS场效应开关/功率放大管
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