| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
|
|
| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
|
|
| BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| 2N2222 |
硅 NPN 60V 0.8A 0.5W 25/200ns β=100-300 *K |
普通用途 |
|
|
| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| BC264LA |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| BC263 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| BC259C |
硅 PNP 25V 0.1A 0.3W 130MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N7230 |
P 沟 200V 25A |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
|
|
|
| 2N7244 |
N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
|
|
| 2N3055A |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
|
|
| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
|
|
| BC270-5 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N5401 |
硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K |
开关管 |
TO-92,SOT-23 |
|
| BC263A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
|
|
| 2N7242 |
N沟 200V 9A 75W 80/45ns Ron=0.51Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
|
|
| AF280VII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
|
|
| BC270 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N3055U |
硅 NPN |
. |
|
|
| 2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
|
|
| 2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
|
|
