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晶体管技术参数查询--杭州精灵电子
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晶体管型号晶体管参数用途封装简介
2N7275R N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω MOS场效应功率放大管
2N7261 N沟 100V 8.0A 25W 金属氧化物场效应管
BC261A 硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 普通用途
2N7237 P 沟 200V 11A 125W 金属氧化物场效应管
BC270 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
2N7274H N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω MOS场效应功率放大管
BC262A 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 普通用途
BC264A N沟 30V 2-4.5mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
BC263B 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 低噪声管
BC270-5 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
BC262C 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 普通用途
2N7271H N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω MOS场效应功率放大管
2SC2538 硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz 用于VHF频段及射频
BC274 硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K 普通用途
BC271 硅 NPN 25V 1A 0.3W 普通用途
BC274A 硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K 普通用途
BC267B 硅 NPN 50V 0.5A 0.375W 普通用途
BC264SM N沟 30V 12mA 0.35W 场效应音频/前置输入级对称类管
2N7230 P 沟 200V 25A 金属氧化物场效应管
2N5401 硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K 开关管 TO-92,SOT-23
BC261C 硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 普通用途
BC264LC N沟 30V 5-8mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
2SA1015 硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K
BC270-6 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
2N7228 N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω 金属氧化物场效应管
2N722A 硅 PNP 50V 0.5A 0.4W 普通用途
BC268C 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 普通用途
2N7244 N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω MOS场效应开关/功率放大管
2N7275 N沟 200V 5A 金属氧化物场效应管
2N7236 P 沟 100V 18A 125W 金属氧化物场效应管
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