| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7268 |
N沟 100V 34A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC270 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7273R |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N726 |
硅 PNP 25V 0.05A β=15-45 |
普通用途 |
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| 2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
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| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| AF280VIII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N7274R |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N3055 |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N3055V |
硅 NPN |
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| BC274 |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K |
普通用途 |
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| BC272 |
硅 NPN 45V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| BC271 |
硅 NPN 25V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| BC269 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC268 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.357W |
普通用途 |
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| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC267A |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC267 |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
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| 2SC2851 |
硅 NPN 36V 300mA 1W 2GHz |
用于VHF频段及射频 |
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| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N3055A |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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