| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC274 |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K |
普通用途 |
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| BC259C |
硅 PNP 25V 0.1A 0.3W 130MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC269B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
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| 2SC1815 |
硅 NPN 60V 150mA 400mW *K |
低噪声音频放大 |
TO-92 |
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| 2N7275R |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N726 |
硅 PNP 25V 0.05A β=15-45 |
普通用途 |
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| 2N7274R |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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| BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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| BC263A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC267A |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7276R |
N沟 200V 7A 50W Ron=0.515Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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| BC269 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC267 |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC270-5 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC269C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC268A |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC263LD |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC263B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2SC1972 |
硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz |
VHF功率放大 |
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