| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| 2N7275 |
N沟 200V 5A |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
|
|
| BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
|
|
| BC263A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| 2N726 |
硅 PNP 25V 0.05A β=15-45 |
普通用途 |
|
|
| BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
|
|
| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
|
|
|
| 2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
|
| BC268 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.357W |
普通用途 |
|
|
| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
|
|
| BC274 |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N7244 |
N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
|
|
| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
|
|
| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N7272R |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| BC269 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
|
|
| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| 2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
|
|
| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| BC270A |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
|
|
|
| 2SC1972 |
硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz |
VHF功率放大 |
|
|
| BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
|
|
| 2N7273 |
N沟 100V 12A |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| BC267A |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
