晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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2N7272 |
N沟 100V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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2N3055U |
硅 NPN |
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BC270A |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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AF280VII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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2N7271H |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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2N3055A |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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BC270 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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BC267 |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
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2N7274R |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC271 |
硅 NPN 25V 1A 0.3W |
普通用途 |
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2N7275R |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
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BC270B |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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2N726 |
硅 PNP 25V 0.05A β=15-45 |
普通用途 |
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2N3055V |
硅 NPN |
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BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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AF280VIII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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BC267A |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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