| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC264LC |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7271H |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC269B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC263A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC268A |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC270A |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC271 |
硅 NPN 25V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| AF280V |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2SC3355 贴片 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
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| 2N7274R |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC267 |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
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| 2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC268 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.357W |
普通用途 |
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| 2N7271 |
N沟 100V 14A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7237 |
P 沟 200V 11A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC270B |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| 2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC261 |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC263LD |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC269C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC270-5 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7271R |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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