| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N7268 |
N沟 100V 34A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| 2SC2851 |
硅 NPN 36V 300mA 1W 2GHz |
用于VHF频段及射频 |
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| 2N7275 |
N沟 200V 5A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N3055A |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| 2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
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| 2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7244 |
N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N726 |
硅 PNP 25V 0.05A β=15-45 |
普通用途 |
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| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7242 |
N沟 200V 9A 75W 80/45ns Ron=0.51Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
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| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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| BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
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| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC270B |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC270A |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC270C |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC270-5 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC264LA |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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