| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC263 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC266B |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC263LD |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC262 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC264 |
N沟 30V 12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N3055V |
硅 NPN |
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| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
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| AF280VIII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| AF280V |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| AF280VII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N7275H |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
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| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7273H |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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| 2N3055U |
硅 NPN |
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| 2N3055A |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC267A |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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