| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7270 |
N沟 500V 11A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
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| BC266B |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7275 |
N沟 200V 5A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7230 |
P 沟 200V 25A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N3055A |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| 2N7271 |
N沟 100V 14A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC263A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N726 |
硅 PNP 25V 0.05A β=15-45 |
普通用途 |
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| 2N7272 |
N沟 100V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC268A |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| AF280VIII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC269C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7273R |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
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| 2N3055V |
硅 NPN |
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| BC263 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC272 |
硅 NPN 45V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| BC267 |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7275R |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N3055 |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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