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晶体管技术参数查询--杭州精灵电子
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晶体管型号晶体管参数用途封装简介
2N7244 N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω MOS场效应开关/功率放大管
BC274 硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K 普通用途
BC261A 硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 普通用途
2N7273H N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω MOS场效应功率放大管
BC263A 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 低噪声管
BC270 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
2N7272H N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω MOS场效应功率放大管
2N5401 硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K 开关管 TO-92,SOT-23
BC260B 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 普通用途
2N7236 P 沟 100V 18A 125W 金属氧化物场效应管
2N725 锗 PNP 15V 0.05A <70ns 开关管
2N7270 N沟 500V 11A 150W 金属氧化物场效应管
2N7242 N沟 200V 9A 75W 80/45ns Ron=0.51Ω MOS场效应开关/功率放大管
2N7271R N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω MOS场效应功率放大管
BC263B 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 低噪声管
2N7276R N沟 200V 7A 50W Ron=0.515Ω MOS场效应功率放大管
2N7274H N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω MOS场效应功率放大管
BC268B 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 普通用途
2SC1972 硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz VHF功率放大
2SA1015 硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K
BC262A 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 普通用途
BC264B N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W 通用型场效应管
AF280V 锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz 高频管
2SC1815 硅 NPN 60V 150mA 400mW *K 低噪声音频放大 TO-92
2N7273 N沟 100V 12A 金属氧化物场效应管
AF280VII 锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz 高频管
BC269 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 低噪声管
2SC3355 硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz 用于UHF频段及射频 TO-92
BC270B 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
2N7272R N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω MOS场效应功率放大管
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