| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC264LC |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7271 |
N沟 100V 14A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
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| 2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
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| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC269B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| 2SC1972 |
硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz |
VHF功率放大 |
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| 2N3055V |
硅 NPN |
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| 2N7230 |
P 沟 200V 25A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| 2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC270 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7275 |
N沟 200V 5A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7244 |
N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2SC2851 |
硅 NPN 36V 300mA 1W 2GHz |
用于VHF频段及射频 |
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| BC274 |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K |
普通用途 |
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| 2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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| BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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| BC263B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2SC1815 |
硅 NPN 60V 150mA 400mW *K |
低噪声音频放大 |
TO-92 |
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| 2N7237 |
P 沟 200V 11A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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