| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2SC3355 贴片 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
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| BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7271 |
N沟 100V 14A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC262 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7273 |
N沟 100V 12A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7273H |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N5551 |
硅 NPN 180V 0.6A 0.3W *K |
视频输出管 |
TO-92,SOT-23 |
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| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC263A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
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| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
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