| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
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| 2N7272R |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| AF280V |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
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| BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| 2N7273H |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
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| 2N7270 |
N沟 500V 11A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7275 |
N沟 200V 5A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| AF280VIII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| AF280VII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC268A |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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