| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC269B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC264LA |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
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| BC270C |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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| BC270 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC262 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
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| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N5401 |
硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K |
开关管 |
TO-92,SOT-23 |
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| 2N7270 |
N沟 500V 11A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC271 |
硅 NPN 25V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| 2N2222A |
硅 NPN 75V 0.8A 0.5W 25/200ns β=100-300 *K |
普通用途 |
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| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N3055U |
硅 NPN |
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| 2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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