| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC261 |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7271R |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC270B |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7275 |
N沟 200V 5A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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| 2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC264LC |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
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| BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7270 |
N沟 500V 11A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC263 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| 2N3055V |
硅 NPN |
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| BC259C |
硅 PNP 25V 0.1A 0.3W 130MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC260B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| 2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
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| BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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