晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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2N7275 |
N沟 200V 5A |
金属氧化物场效应管 |
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2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
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BC266B |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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2N5401 |
硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K |
开关管 |
TO-92,SOT-23 |
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BC263 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
低噪声管 |
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BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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2N7271 |
N沟 100V 14A |
金属氧化物场效应管 |
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AF280V |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
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2N7273R |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC259C |
硅 PNP 25V 0.1A 0.3W 130MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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BC269C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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AF280VII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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BC260B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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