晶体管技术参数查询--杭州精灵电子

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晶体管型号	晶体管参数	用途	封装	简介
2N7230	P 沟 200V 25A	金属氧化物场效应管
BC266	硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K	普通用途
BC264LB	N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W	场效应音频/前置输入级对称类管
BC267B	硅 NPN 50V 0.5A 0.375W	普通用途
AF280VIII	锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz	高频管
BC267	硅 NPN 50V 0.5A 0.375W	普通用途
2N7268	N沟 100V 34A 150W	金属氧化物场效应管
2N3055C	硅 NPN 140V 30A 150W	普通用途
2N7262	N沟 200V 5.5A 25W	金属氧化物场效应管
2SC5200	2SA1943 *K
2N7274R	N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω	MOS场效应功率放大管
2N726	硅 PNP 25V 0.05A β=15-45	普通用途
2N3055S	硅 NPN 100V 15A 117W	音频放大\开关及功率放大
BC260B	硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600	普通用途
2SC1815	硅 NPN 60V 150mA 400mW *K	低噪声音频放大	TO-92
2SC1972	硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz	VHF功率放大
BC269	硅 NPN 30V 0.5A 0.375W	低噪声管
2SC3355 贴片	硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz	用于UHF频段及射频
BC264A	N沟 30V 2-4.5mA 0.3W	场效应音频/前置输入级对称类管
BC268A	硅 NPN 30V 0.5A 0.375W	普通用途

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